[发明专利]一种梳齿式微加速度计的加工方法在审
| 申请号： | 201510759441.4 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105417490A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张照云;唐彬;苏伟;彭勃;陈颖慧;高杨 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01V13/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种梳齿式微加速度计的加工方法，所述的方法包括以下步骤：在硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片衬底层表面光刻进行浅槽刻蚀，刻蚀深度3μm～4μm；在硅片衬底层表面进行台阶光刻，刻蚀硅片衬底层至绝缘层；刻蚀硅片衬底层暴露出的绝缘层；将硅片衬底层跟玻璃片进行键合；在硅片结构层表面光刻定义微加速度计结构图形，采用DRIE各向异性刻蚀，刻蚀深度至绝缘层，释放微结构；裂片、封装、测试得到所需。本发明的梳齿式微加速度计的加工方法利用衬底层增加质量块质量，干法刻蚀微加速度计结构，具有结构尺寸控制好、工艺简单、质量块大的优点，能够满足高精度低g值微加速度计的精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梳齿 式微 加速度计 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种梳齿式微加速度计的加工方法，其特征在于，原料为SOI硅片，SOI硅片从上到下依次为结构层（1）、绝缘层（2）和衬底层（3），加工方法包括以下步骤：a.在结构层（1）表面进行光刻，采用剥离工艺制作金属电极（4）；b.在衬底层（3）表面刻蚀台阶深度为3μm～4μm的微加速度计结构区；c.在微加速度计结构区光刻，采用DRIE刻蚀，深度至绝缘层（2）；d.刻蚀暴露出的绝缘层（2），深度至结构层（1）；e.键合衬底层（3）和玻璃片（5）；f.在结构层（1）光刻微加速度计结构图形，采用DRIE刻蚀，刻蚀深度至绝缘层（2），获得微加速度计结构（6）；g.裂片、封装、测试得到所需。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所，未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510759441.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含PHBV的可降解纤维及其制备方法
- 下一篇：低铝高钒铁的冶炼方法
