[发明专利]图像感测器件及其制造方法

摘要

本发明的一些实施例提供了一种背照式(BSI)图像传感器。背照式(BSI)图像传感器包括：半导体衬底；以及层间介电(ILD)层，位于半导体衬底的前侧处。ILD层包括：介电层，位于半导体衬底上方；和接触件，部分地掩埋在半导体衬底内部。接触件包括：硅化物层，包括近似在从约600埃至约1200埃的范围内的预定厚度。本发明还提供一种制造背照式(BSI)图像传感器的方法。

主权项

1.一种背照式(BSI)图像传感器，包括：半导体衬底；以及层间介电(ILD)层，位于所述半导体衬底的前侧处，并且所述层间介电层包括：介电层，位于所述半导体衬底上方；和接触件，部分地掩埋在所述半导体衬底内部，并且所述接触件包括：硅化物层，包括在从600埃至1200埃的范围内的预定厚度；其中，所述硅化物层包括晶格结构，并且所述晶格结构包括配置为利用所述晶格结构的X‑射线衍射图案上的峰测得的{220}平面或{311}平面。