[发明专利]用于去除非铜沟槽中的杂质的沟槽衬垫在审
| 申请号： | 201510759574.1 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106469673A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴宪昌;苏莉玲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在5nm或更小的半导体技术节点中制造半导体器件的方法。形成延伸穿过衬底上方的多个层的开口。在开口的表面上形成阻挡层。在开口中的阻挡层上方形成衬垫层。阻挡层和衬垫层具有不同的材料组分。利用非铜金属材料填充开口。在衬垫层上方形成非铜材料。在一些实施例中，非铜金属材料包括钴。本发明实施例涉及用于去除非铜沟槽中的杂质的沟槽衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 除非 沟槽 中的 杂质 衬垫 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：形成延伸穿过衬底上方的多个层的开口；在所述开口的表面上形成阻挡层；在所述开口中的阻挡层上方形成衬垫层，其中，所述阻挡层和所述衬垫层具有不同的材料组分；以及利用非铜金属材料填充所述开口，其中，所述非铜金属材料形成在所述衬垫层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
