[发明专利]一种功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510760045.3 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106684131B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;张泉;朱利恒;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/739 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，P阱包围沟槽栅结构的沟槽底部。P阱在功率器件关断时通过加快N阱的载流子的耗尽降低沟槽底部的电场强度。本发明能够解决高浓度N阱所带来的器件耐压特性下降的技术问题，并且解决了P阱的常规制作工艺的成本高、工艺难度大、掺杂浓度调整范围小的技术问题，使得器件可以在高浓度N阱下依然能够保持良好的耐压特性，从而优化了器件功耗与耐压的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，所述功率器件采用沟槽栅结构，其特征在于，所述功率器件还包括P阱，所述N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，所述P阱包围所述沟槽栅结构的沟槽底部。
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