[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面内部的第二掺杂类型的阱区；位于所述阱区朝向所述半导体衬底背面一侧，且载流子浓度大于所述半导体衬底的载流子存储层；位于所述阱区中心的沟槽；位于所述沟槽两侧，且位于所述阱区内部的第一掺杂类型的发射区；位于所述沟槽两侧，且位于所述半导体衬底表面的栅极；覆盖所述栅极和沟槽表面的发射极；位于所述半导体衬底背面内部的第二掺杂类型的集区；位于所述集区背离所述半导体衬底一侧的集电极。所述绝缘栅双极晶体管具有低导通压降，并且其生产成本较低。

主权项

1.一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供第一掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底的正面内部形成第二掺杂类型的阱区，并在所述半导体衬底的正面形成所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述栅极覆盖所述阱区部分表面；在所述阱区表面形成第一掺杂类型的发射区；对所述发射区进行刻蚀，在所述发射区内形成沟槽，所述沟槽贯穿所述发射区；通过所述沟槽向所述半导体衬底注入第一掺杂类型的粒子，在所述阱区背离所述栅极一侧形成载流子浓度大于所述半导体衬底载流子浓度的载流子存储层；形成所述绝缘栅双极晶体管的发射极；在所述半导体衬底的背面形成所述绝缘栅双极晶体管的背面结构。