[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其构造方法有效
| 申请号： | 201510760586.6 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106684133B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;张泉;朱利恒;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，所述方法包括以下步骤：采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽栅结构；制作N+源极区；刻蚀发射极金属接触窗口；利用高能离子注入使得特定深度的所述P型扩散区反型从而在所述P型扩散区内部构造N阱层，所述N阱层将所述P型扩散区分成上下两个相互隔离的部分，其中，上部分为P‑基区，下部分为P阱层；执行后续工艺完成所述晶体管的构造。与现有技术相比，本发明的方法大大简化了工艺流程，从而降低了总体工艺成本以及工艺难度。同时，本发明的方法各个步骤均可以采用现有工艺技术完成，不需要增加新的工艺设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 构造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制备所述晶体管的衬底，采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽刻蚀窗口，完成沟槽刻蚀、栅氧化层制作以及多晶硅栅填充以形成沟槽栅结构；制作N+源极区的注入窗口，完成所述N+源极区的注入掺杂以形成所述N+源极区；在所述N+源极区旁刻蚀发射极金属接触窗口；利用高能离子注入使得特定深度的所述P型扩散区反型从而在所述P型扩散区内部构造N阱层，所述N阱层将所述P型扩散区分成上下两个相互隔离的部分，其中，上部分为P‑基区，下部分为P阱层；执行后续工艺完成所述晶体管的构造；其中，所述发射极金属接触窗口的刻蚀深度设置成，能够使得在构造所述N阱层后所形成的所述P阱层的结深与所述发射极金属接触窗口的刻蚀深度相同。
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