[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510760653.4 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105226091B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的硅衬底；位于所述硅衬底正面的正面结构；位于所述硅衬底背面的集区，所述集区包括并列设置于所述硅衬底背面的第一掺杂集区和第二掺杂集区；位于所述集区背离所述硅衬底一侧的集电极；所述第一掺杂集区的禁带宽度高于所述硅衬底的禁带宽度，所述第二掺杂集区的禁带宽度低于所述硅衬底的禁带宽度。在所述绝缘栅双极晶体管工作时，载流子更容易通过第一掺杂集区流向所述发射极，从而降低所述绝缘栅双极晶体管的导通压降；而当所述绝缘栅双极晶体管关断时，载流子更容易通过第二掺杂集区流向所述集电极，从而缩短所述绝缘栅双极晶体管的关断时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：第一掺杂类型的硅衬底；位于所述硅衬底正面的正面结构；位于所述硅衬底背面的集区，所述集区包括并列设置于所述硅衬底背面的第一掺杂集区和第二掺杂集区，其中，所述第一掺杂集区和所述第二掺杂集区均为第二掺杂类型；位于所述集区背离所述硅衬底一侧的集电极；所述第一掺杂集区的禁带宽度高于所述硅衬底的禁带宽度，所述第二掺杂集区的禁带宽度低于所述硅衬底的禁带宽度。
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