[发明专利]一种IGBT芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510760751.8 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105304697B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT芯片及其制作方法，包括至少一个元胞，其中，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置辅助沟槽，将第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距分为两部分。而相较于第一常规沟槽和第二常规沟槽之间较大的间距，本发明中第一常规沟槽与辅助沟槽之间的间距和第二常规沟槽与辅助沟槽之间的间距，与槽栅型IGBT芯片其他相邻沟槽之间的间距的差距小，进而改善了IGBT芯片关断时载流子的抽取的均匀度，改善了IGBT芯片关断特性的软度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽，所述辅助沟槽位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间，所述第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，所述辅助沟槽内设置有辅助栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与所述第一常规栅层之间、所述第二常规沟槽的内壁所述第二常规栅层之间和所述辅助沟槽的内壁与所述辅助栅层之间均设置有一第一栅氧化层；位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且背离所述基区一侧的第一源极区和第二源极区；以及，位于所述第一源极区和第二源极区之间的发射极金属电极，所述发射极金属电极延伸至所述基区，且所述发射极金属电极仅覆盖所述辅助沟槽；所述第一常规栅层、所述第二常规栅层、所述发射极金属电极、所述第一源极区以及所述第二源极区的上表面在同一平面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510760751.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
