[发明专利]一种GaN/CQDS复合光催化剂及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201510761085.X | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105233852A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 程宏斌;李佳;郑学军;姜涛;王朋朋;王现英;苏敏 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/10;C02F1/32;C02F101/38 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种GaN/CQDS复合光催化剂，由GaN和碳量子点CQDS组成，在催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%-90%，碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%-10%。本发明还提供了上述的一种GaN/CQDS复合光催化剂的制备方法，先采用GaN及Ga2O3混合制备混合镓源；然后将混合镓源加入一个反应容器中进行化学气相沉积制备GaN纳米线；再制备CQDS；将CQDS和GaN纳米线按照质量百分比混合、搅拌，搅拌后放置于超声波仪器中超声，然后将混合物干燥得GaN-CQDS复合光催化剂。本发明的光催化剂比同类型的单一GaN光催化剂对分解物具有更高的催化效率和更快的催化速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan cqds 复合 光催化剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种GaN/CQDS复合光催化剂，其特征在于：由GaN和碳量子点CQDS组成，在所述的催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%‑90%，所述的碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%‑10%；所述的GaN为纳米线结构，所述纳米线的直径为60‑120nm。
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