[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510761407.0 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106684134B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;张泉;朱利恒;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深度，第一深度为第一次沟槽刻蚀并进行N阱注入的深度，第一深度大于或等于P‑基区的结深，第一深度小于N阱的深度，第二深度为沟槽的深度。本发明能够克服现有沟槽栅功率半导体器件的N阱(载流子存储层)通过扩散工艺来实现掺杂，无法实现较高的掺杂浓度的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS101：在N-衬底的基础上进行P-基区的注入及扩散掺杂；/nS102：在前一步骤的基础上，进行光刻及沟槽刻蚀，并刻至第一深度；/nS103：通过所述沟槽进行N阱注入，并进行高温推进，形成N阱；/nS104：在前一步骤的基础上，继续进行光刻及沟槽刻蚀，并刻至第二深度，完成整个沟槽的刻蚀；/nS105：在所述沟槽内进行栅氧化层制作、多晶硅栅填充，以及多晶硅栅掺杂；/nS106：在前一步骤的基础上，进行N+源极区的掺杂窗口光刻、注入掺杂，在两个沟槽之间形成所述N+源极区。/n
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