[发明专利]一种超细硅环的抛光方法在审

专利信息
申请号: 201510761529.X 申请日: 2015-11-10
公开(公告)号: CN106670957A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 王永涛;葛钟;库黎明;朱秦发;闫志瑞;李磊 申请(专利权)人: 有研半导体材料有限公司
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B37/30;H01L21/02
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 代理人: 刘秀青;熊国裕
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种超细硅环的抛光方法,该方法包括以下步骤:(1)在抛光头上制作略大于超细硅环尺寸的凹槽,使得在凹槽内外径表面及凹槽底面贴附抛光布后,硅环恰好卡在凹槽内,且硅环露出抛光头表面;(2)将抛光头安装在抛光机上,对硅环进行抛光,一面抛光完成后,将硅环翻面,对硅环另一面进行抛光,从而完成对硅环的双面抛光加工。该方法将可以有效的降低超细硅环在抛光加工过程中的碎片几率,提高超细硅环抛光加工的稳定性。
搜索关键词: 一种 超细硅环 抛光 方法
【主权项】:
一种超细硅环的抛光方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)在抛光头上制作略大于超细硅环尺寸的凹槽,使得在凹槽内外径表面及凹槽底面贴附抛光布后,硅环恰好卡在凹槽内,且硅环露出抛光头表面;(2)将抛光头安装在抛光机上,对硅环进行抛光,一面抛光完成后,将硅环翻面,对硅环另一面进行抛光,从而完成对硅环的双面抛光加工。
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