[发明专利]一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法。通过在中性或氧化性气氛条件下对晶体进行高温热处理，使其由淡茶色或其他颜色转变为无色透明，同时显著提高晶体的闪烁性能。测试结果表明，晶体在420nm处的透过率为83.5%，最佳光输出为36000±1000photons/MeV，衰减时间为42.9ns。晶体的综合性能已达到国内外先进水平。

主权项

1.一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法，其特征在于掺铈硅酸钇镥晶体的化学组成为Ce2x(Lu1‑yYy)2(1‑x)SiO5，其中0.00001

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都东骏激光股份有限公司，未经成都东骏激光股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510761927.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。