[发明专利]一种去除焊盘缺陷的方法在审
| 申请号： | 201510762520.0 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105428211A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 胡海波;汪亚军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种去除焊盘缺陷的方法，在利用不含有氢氟酸的DSP溶液清洗焊盘后，对该焊盘进行冲洗工艺，并循环多次进行该清洗和冲洗工艺以去除焊盘缺陷，由于DSP溶液中不含有氢氟酸，从而可以减少去除焊盘缺陷过程中的焊盘损伤，减少凹点缺陷；且由于采用DSP高低转速搭配能够增加绕流以增加化学清洗能力，采用多次循环清洗、冲洗的方式可以提高DSP溶液中硫酸和双氧水的作用，从而可以有效去除焊盘缺陷；进而可以减少报废，提升良率，节约返工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除焊盘缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一形成有焊盘的衬底，且所述焊盘上形成有结晶缺陷；步骤S2，利用不含有氢氟酸的DSP溶液清洗所述衬底后，对所述衬底进行冲洗工艺；步骤S3，重复进行所述步骤S2多次，以去除所述结晶缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510762520.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
