[发明专利]一种GaN衬底的制作方法在审
| 申请号： | 201510762542.7 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105261679A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;马新刚;潘艳萍;陈善麟;邬元杰;赵进超;王洋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN衬底的制作方法，先在支撑衬底上形成晶格匹配层，并在晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，接着在晶格匹配层以及介质层上生长GaN材料层，随后通过高温工艺使介质层与晶格匹配层发生反应，以使晶格匹配层与支撑衬底完全脱离，最后，平坦化GaN材料层以形成GaN衬底。利用本发明制成的GaN衬底制作LED芯片，可使LED芯片的晶体质量和发光亮度都得到较大提升，并且在成本上更具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成晶格匹配层；在所述晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，所述具有图形化结构的介质层暴露出部分所述晶格匹配层；在所述晶格匹配层以及介质层上生长GaN材料层；通过高温工艺使所述介质层与晶格匹配层发生反应，以使所述晶格匹配层与所述支撑衬底完全脱离，所述高温工艺的温度大于1200℃；平坦化所述GaN材料层，形成GaN衬底。
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