[发明专利]半导体装置的制造方法及接合组装装置

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置的制造方法包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和至少一个焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，在所述准备工序之后，对所述减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，在所述一次减压工序之后，使所述减压炉内成为低压的氢气氛，对与所述减压炉之间隔着能够开闭的分隔壁地设置于所述减压炉外的金属线进行加热，或者对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能够开闭的分隔壁地设置于所述减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢，并使所述原子态氢流向所述层叠体，以有助于构成所述层叠体的各个构件表面的还原处理；隔离工序，在所述热射线式加热工序之后，在将所述金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自所述减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，在所述隔离工序之后，使所述减压炉内成为正压的氢气氛，加热至接合温度而使所述焊锡材料熔融；以及气泡去除工序，在所述加热工序之后，在保持为接合温度的状态下使所述减压炉内再次成为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡，其中，在所述热射线式加热工序中，在100℃～200℃的温度下对所述至少一个被接合构件和/或所述至少一个焊锡材料的氧化物进行还原。