[发明专利]用于电磁干扰仿真分析的IGBT模型有效
| 申请号： | 201510763167.8 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105279339B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张栋;宁圃奇;温旭辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于电磁干扰计算机仿真的IGBT模型，包括IGBT正向导通部分模型(11)和反并联二极管部分模型(12)；两部分模型共同包含一个由电阻Rc35和电容C35串联构成的支路。IGBT正向导通部分模型(11)包含四个相互并联的支路，其第一理想二极管Dv的阳极与IGBT的集电极相连，电阻Rv的另一端与IGBT的发射极相连。反并联二极管部分模型(12)包含三个相互并联的支路。第二理想二极管Dd的阴极连接至IGBT的集电极，第二理想二极管Dd的阳极连接至IGBT的发射极。由电阻Rc35和电容C35串联构成的支路由IGBT正向导通部分模型的第四支路和反并联二极管部分模型的第三支路合并构成。 | ||
| 搜索关键词： | 支路 反并联二极管 理想二极管 正向导通 电阻 电磁干扰 发射极 集电极 电容 并联 串联 阴极 仿真分析 阳极连接 支路合并 阳极 计算机 | ||
【主权项】：
1.一种用于电磁干扰计算机仿真的IGBT模型，其特征在于，所述的IGBT模型包括IGBT正向导通部分模型(11)和反并联二极管部分模型(12)；所述的IGBT正向导通部分模型(11)包括以下元件：表示IGBT正向导通、反向截止特性的第一理想二极管Dv，表示IGBT关断过程中电压上升速率及振荡频率的集电极‑发射极等效电容C1、C2、C3，表示IGBT关断过程中电压振荡衰减速率的第一阻尼电阻Rc3，在IGBT关断过程中切换IGBT集电极‑发射极等效电容的理想开关Sc1和Sc2；IGBT正向导通部分模型(11)包含四个相互并联的支路：第一理想二极管Dv与电阻Rv串联构成第一支路，第一等效电容C1与第一理想开关Sc1串联构成第二支路，第二等效电容C2与第二理想开关Sc2串联构成第三支路，第三等效电容C3与第一阻尼电阻Rc3串联构成第四支路；第一理想二极管Dv的阳极与IGBT的集电极相连，电阻Rv的另一端与IGBT的发射极相连；反并联二极管部分模型(12)包括以下元件：表示反并联二极管正向导通、反向截止特性的第二理想二极管Dd，表示二极管反向恢复特性的第四等效电容C4和第五等效电容C5，表示二极管反向恢复电流衰减速率的第二阻尼电阻Rc5，在IGBT开通过程中切换反并联二极管等效电容的第三理想开关Sc3；反并联二极管部分模型(12)包含三个相互并联的支路：第二理想二极管Dd构成第一支路，第四等效电容C4与第三理想开关Sc1串联构成第二支路，第五等效电容C5与第二阻尼电阻Rc5串联构成第三支路；第一理想二极管Dv和第二理想二极管Dd的阳极、阴极方向相反；第二理想二极管Dd的阴极连接至IGBT的集电极，第二理想二极管Dd的阳极连接至IGBT的发射极。
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