[发明专利]一种杂化有机硅膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510763199.8 申请日: 2015-11-10
公开(公告)号: CN105413485B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 叶宏;张襄;张忠国;宋博宇;于健;马晓欢;左思远 申请(专利权)人: 北京工商大学
主分类号: B01D71/06 分类号: B01D71/06;B01D69/12;B01D67/00;B01D61/36
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地址: 100048*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种杂化有机硅膜的制备方法,包括制备沸石/氧化石墨烯无机杂化层;将沸石/氧化石墨烯杂化分散液在负压条件下进行一次抽滤处理;有机硅填充;采用有机硅填充溶液进行二次抽滤处理,其中二次抽滤处理采用的抽滤介质为前述步骤中得到的带有沸石/氧化石墨烯无机杂化层的抽滤介质;成膜;二次抽滤处理结束后静置,然后将二次抽滤处理后得到的抽滤介质进行干燥处理,干燥处理完成后去除支撑介质即可得到杂化有机硅膜。本发明的杂化有机硅膜的制备方法简单可控,原料易得,操作条件简单,适用性广;制备时可以任意调控沸石、氧化石墨烯和有机硅的组分比例,不必考虑传统流延成膜中的沉淀、分散和成膜性问题。
搜索关键词: 一种 有机硅 制备 方法
【主权项】:
一种杂化有机硅膜的制备方法,其特征在于,包括S100:制备沸石/氧化石墨烯无机杂化层;将沸石/氧化石墨烯杂化分散液在负压条件下进行一次抽滤处理,其中所述一次抽滤处理中采用的抽滤介质包括支撑介质和微孔滤膜,所述支撑介质位于所述微孔滤膜的下方;一次抽滤处理完成后在所述微孔滤膜的表面形成所述沸石/氧化石墨烯无机杂化层;S200:有机硅填充;采用有机硅填充溶液进行二次抽滤处理,其中所述二次抽滤处理采用的抽滤介质为步骤S100中得到的带有沸石/氧化石墨烯无机杂化层的抽滤介质;S300:成膜;二次抽滤处理结束后静置,然后将二次抽滤处理后得到的抽滤介质进行干燥处理,干燥处理完成后去除支撑介质即可得到所述杂化有机硅膜。
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