[发明专利]基于重构-等效啁啾和纳米压印制备DFB激光器及阵列的方法在审

专利信息
申请号: 201510763227.6 申请日: 2015-11-10
公开(公告)号: CN105356295A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 王文轩;陈向飞;刘胜平;施跃春 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/343;H01S5/42
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 基于重构-等效啁啾和纳米压印技术制备的DFB激光器制备方法,DFB激光器腔的起选模作用的光栅为啁啾光栅结构,DFB激光器腔内起选模作用的光栅是基于重构-等效啁啾和纳米压印技术设计、并制备的取样布拉格光栅;该取样布拉格光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,该等效光栅中含有对应传统相移的等效相移,等效相移区的位置在取样布拉格光栅中心的+/-15%的区域范围内,制备取样布拉格光栅的基本光栅是通过纳米压印技术制备的;基本布拉格光栅是由纳米压印技术制备的均匀光栅,然后用基于重构-等效啁啾技术设计的取样版进行采样制备目标等效相移的光栅即啁啾光栅。
搜索关键词: 基于 等效 啁啾 纳米 压印 制备 dfb 激光器 阵列 方法
【主权项】:
基于重构‑等效啁啾和纳米压印技术制备的DFB激光器,其特征是DFB激光器腔的起选模作用的光栅为啁啾光栅结构,设光栅反射波长:λ=2nΛ(z)其中n为有效折射率,Λ(z)为啁啾光栅的周期,是线性啁啾或非线性啁啾;Λ(z)的啁啾大小决定了啁啾光栅的反射带宽B,表示为:B=|2nΛ(zend)‑2nΛ(z0)|其中|·|表示绝对值,zend表示啁啾光栅的末端位置,z0表示啁啾光栅的起始位置;DFB激光器腔内起选模作用的光栅是基于重构‑等效啁啾和纳米压印技术设计、并制备的取样布拉格光栅;该取样布拉格光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,该等效光栅中含有对应传统相移的等效相移,等效相移区的位置在取样布拉格光栅中心的+/‑15%的区域范围内,制备取样布拉格光栅的基本光栅是通过纳米压印技术制备的。
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