[发明专利]基于受激拉曼散射损耗效应的全光比较器在审
| 申请号： | 201510763494.3 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105242479A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 董小伟;许梦真 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | G02F7/00 | 分类号： | G02F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100144 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于受激拉曼散射损耗效应的全光比较器，属于信息光电子技术。该器件的连接：待比较光信号、参考光信号的输入口（A、B）分别连接第一、第二2×2光耦合器（11、12）的第一端口；第一1×2光耦合器（21）的第一、第二、第三端口分别连接控制光信号的输入口（C）、第三、第四2×2光耦合器（13、14）的第一端口；第二1×2光耦合器（22）的第一、第二、第三端口分别连接高速光探测器（5）、第三、第四2×2光耦合器（13、14）的第二端口；第一、第三2×2光耦合器（11、13）的第三、第四端口分别经第一、第二高非线性光纤（31、32）相连；第二、第四2×2光耦合器（12、14）的第三、第四端口分别经第三、第四高非线性光纤（33、34）相连。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 受激拉曼 散射 损耗 效应 比较 | ||
【主权项】：
基于受激拉曼散射损耗效应的全光比较器，其特征在于：该全光比较器包括，第一、第二1×2光耦合器（21、22），第一、第二、第三、第四2×2光耦合器（11、12、13、14），第一、第二、第三、第四高非线性光纤（31、32、33、34），待比较光信号、参考光信号、控制光信号的光输入端口（A、B、C），高速光探测器（5）；所述各器件的连接如下：所述的待比较光信号的光输入端口（A）与第一2×2光耦合器（11）的第一端口连接，参考光信号的光输入端口（B）与第二2×2光耦合器（12）的第一端口连接，控制光信号的光输入端口（C）与第一1×2光耦合器（21）的第一端口连接；第一1×2光耦合器（21）的第二、第三端口分别连接第三2×2光耦合器（13）的第一端口和第四2×2光耦合器（14）的第一端口，第二1×2光耦合器（22）的第二、第三端口分别连接第三2×2光耦合器（13）的第二端口和第四2×2光耦合器（14）的第二端口，第一2×2光耦合器（11）的第三、第四端口分别经第一、第二高非线性光纤（31、32）连接第三2×2光耦合器（13）的第三、第四端口，第二2×2光耦合器（12）的第三、第四端口分别经第三、第四高非线性光纤（33、34）连接第四2×2光耦合器（14）的第三、第四端口，第二1×2光耦合器（22）的第一端口连接高速光探测器（5）。
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