[发明专利]一种倒置结构太阳能电池制作方法在审
申请号: | 201510763780.X | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105304764A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 姜伟;张永;陈凯轩;林志伟;卓祥景;方天足 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保;唐绍烈 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法,包括以下步骤:在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池,该多层子电池由下至上带隙依次减小;在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构;在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层,在导电衬底表面蒸镀金属,并采用键合技术将二者紧密连接;采用化学腐蚀法将外延衬底去除,露出带隙最大的子电池表面;在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛,采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位,并蒸镀金属形成电极;在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜,覆盖电极与金属纳米岛,形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率,增加光线在电池内部的传播距离,增强光线吸收,提高转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒置 结构 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种倒置结构太阳能电池制作方法,其特征在于:包括以下步骤:一,在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池,该多层子电池由下至上带隙依次减小;二,在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构;三,在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层,在导电衬底表面蒸镀金属,并采用键合技术将二者紧密连接;四,采用化学腐蚀法将外延衬底去除,露出带隙最大的子电池表面;五,在带隙最大的子电池表面采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位,并蒸镀金属形成电极。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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