[发明专利]压电薄膜谐振器、滤波器和双工器有效
申请号: | 201510765123.9 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105610407B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 谷口真司;西原时弘;横山刚;坂下武 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/13 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括:基板;位于基板上的压电膜;下电极和上电极,该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对;以及插入压电膜中的插入膜,该插入膜位于下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区内的外周区域的至少一部分中,并且不位于谐振区的中心区域中,其中,谐振区内的被插入所述插入膜的第一区域中的压电膜和插入膜的总膜厚度与不插入所述插入膜的第二区域中的压电膜的膜厚度之差小于插入膜的膜厚度。 | ||
搜索关键词: | 压电 薄膜 谐振器 滤波器 双工器 | ||
【主权项】:
1.一种压电薄膜谐振器,该压电薄膜谐振器包括:基板;位于所述基板上的压电膜;下电极和上电极,所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜的至少一部分彼此面对;以及插入所述压电膜中的插入膜,所述插入膜位于谐振区内的外周区域的至少一部分中且不位于所述谐振区的中心区域中,所述谐振区是所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对的区域,其中,所述谐振区内的第一区域中的所述压电膜和所述插入膜的总膜厚度与第二区域中的所述压电膜的膜厚度之差小于所述插入膜的膜厚度,所述第一区域是插入所述插入膜的区域,并且所述第二区域是不插入所述插入膜的区域,其中,所述第一区域中的所述压电膜的上表面与所述第二区域中的所述压电膜的上表面形成大致平坦的表面,或者所述第一区域中的所述压电膜的上表面与所述第二区域中的所述压电膜的上表面之间的高度距离小于所述插入膜的膜厚度。
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