[发明专利]航天器无功耗自适应电位控制器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510765428.X | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106683955B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘宇明;张凯;赵春晴;李蔓;刘向鹏 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;G05F1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无功耗自适应航天器电位控制方法，该方法基于金属材料的场致发射原理，在金属尖端上粘贴碳纳米管构成双重尖状电场增强结构，利用碳纳米管的场致发射性能，制成电子场致发射体。当航天器与空间等离子存在较高电势差时，发射体可以自动发射电子，从而降低航天器与空间等离子间的电势差，达到航天器电位控制的目的。本发明公开了航天器无功耗自适应电位控制器结构以及它们的制造方法。该方法与现有航天器电位控制方法相比，具有结构简单，无功耗，可自动调节发射电流等优点，可用于各类低轨道航天器的电位控制。 | ||
| 搜索关键词： | 航天器 功耗 自适应 电位 控制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.航天器无功耗自适应电位控制器，由若干航天器场致发射发射体排列在一起形成发射体阵列，发射体间的间距0.5cm‑2cm，其中所述航天器场致发射发射体是基于金属材料的场致发射原理，在钨丝尖端上粘贴碳纳米管构成双重尖状电场增强结构，再利用碳纳米管的场致发射性能制成的发射体。
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