[发明专利]一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程

摘要

本发明涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程，根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况，判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；替代现有的目检方式，有效避免人为操作中易出现的漏检问题，且节省人力资源；在光刻制程中，不仅省去原有的目检制程，且无需引入新的检测制程，有效简化了光刻制程。

主权项

1.一种检测光阻涂布均匀度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将待测晶元置于曝光机台；步骤2，读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据；步骤3，根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；所述步骤3的具体实现为：按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值，根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；所述步骤3的具体实现包括如下步骤：步骤31，按行或列依次读取每行或每列的数据值，并求解相邻数据值的差值的绝对值；步骤32，将所述绝对值与预设值进行比较，当所述绝对值小于等于所述预设值，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标；反之，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。