[发明专利]GaN HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制作方法。该器件包括由下而上依次形成的衬底、AlN成核层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlXGa1‑XN肖特基势垒层和GaN帽层，该沟道层和该隔离层之间具有二维电子气，该肖特基势垒层进行δ掺杂，GaN帽层表面分别沉积有介质钝化层、源极金属和漏极金属，介质钝化层上沉积有栅极金属，栅极金属与GaN帽层接触，介质钝化层上沉积有第一介质层，第一介质层上形成有金属场板和第二介质层，第二介质层覆盖金属场板，介质钝化层和第一介质层具有张应力，第二介质层具有压应力。本发明能够在适当减少AlXGa1‑XN中X的含量情况下，提高二维电子气的浓度和改善器件高频特性。

主权项

1. 一种GaN HEMT器件，包括由下而上依次形成的衬底、AlN成核层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlXGa1‑XN肖特基势垒层和GaN帽层，所述GaN沟道层与所述AlXGa1‑XN肖特基势垒层形成有二维电子气，所述二维电子气位于所述GaN沟道层和所述AlN隔离层之间，所述GaN帽层表面的两侧分别沉积有源极金属和漏极金属，所述源极金属和漏极金属之间的GaN帽层上沉积有介质钝化层，所述介质钝化层上沉积有栅极金属，所述栅极金属嵌入所述介质钝化层并与所述GaN帽层接触，所述介质钝化层上沉积有第一介质层，所述第一介质层上形成有金属场板和第二介质层，所述金属场板位于所述栅极金属和所述漏极金属之间，所述第一介质层覆盖所述源极金属和漏极金属，所述第二介质层覆盖所述金属场板，其特征在于，所述AlXGa1‑XN肖特基势垒层含有通过δ掺杂形成的掺杂层，所述掺杂层邻近所述AlN隔离层，所述介质钝化层和所述第一介质层具有张应力，所述第二介质层具有压应力。