[发明专利]GaN压力传感器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510765592.0 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105352636B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种GaN压力传感器件及其制作方法。该器件包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlxGa1‑xN肖特基势垒层和GaN帽层，该过渡层与该肖特基势垒层形成二维电子气，二维电子气位于该过渡层和该隔离层之间，GaN帽层设有隔离区，隔离区从GaN帽层的上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，隔离区在GaN帽层上分隔出传感区域和器件区域，传感区域和器件区域均生长有具有张应力的钝化层，传感区域的钝化层表面沉积有TaN传输线，器件区域的钝化层上形成有栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均穿过钝化层形成在GaN帽层上。本发明能够实现极端环境下的压力探测。 | ||
| 搜索关键词： | gan 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN压力传感器件，其特征在于，包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlxGa1‑xN肖特基势垒层和GaN帽层，二维电子气位于所述GaN过渡层和所述AlN隔离层之间，所述GaN帽层设有隔离区，所述隔离区从所述GaN帽层的上表面嵌入延伸至所述GaN过渡层内部，所述隔离区在所述GaN帽层上分隔出传感区域和器件区域，所述传感区域和器件区域均生长有具有张应力的钝化层，所述传感区域的钝化层表面沉积有TaN传输线，所述器件区域的钝化层上形成有栅极、源极和漏极，所述漏极位于所述隔离区和所述源极之间，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极、源极和漏极均穿过所述钝化层形成在所述GaN帽层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510765592.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三通接头
- 下一篇：一种便于维护的可拆式橡胶软管组合件
