[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510766070.2 申请日: 2015-11-11
公开(公告)号: CN106328536B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 陈治棻;彭垂亚;游靖;林炳亨;庄严;范彧达 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/41;H01L29/78
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>=
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,包括衬底、衬垫和外延结构。衬底具有凹槽。衬垫设置在凹槽中。衬垫比衬底更加致密。外延结构设置在凹槽中。衬垫设置在外延结构和衬底之间。本发明涉及半导体器件及其制造方法。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n衬底,具有凹槽;/n衬垫,设置在所述凹槽中,其中,所述衬垫比所述衬底更致密,并且所述衬垫具有内表面和外表面,所述内表面比所述外表面具有更少数量的角;以及/n外延结构,设置在所述凹槽中,其中,所述衬垫设置在所述外延结构与所述衬底之间,所述外延结构的底部具有圆角部分,所述圆角部分指向所述凹槽的底部刻面。/n
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