[发明专利]前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法在审
申请号: | 201510766399.9 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105296961A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 王志亮;尹海宏;宋长青;张金中;史敏 | 申请(专利权)人: | 南通大学;史敏 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/52 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
地址: | 226019 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法,BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上,BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca,晶格常数为a=5.626Å,b=5.081Å,c=10.339Å,BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为(112),采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到,所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法,可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控,且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定,薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数,工艺变得极为简单、可靠。 | ||
搜索关键词: | 前驱 空间 分隔 制备 镓酸铋 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法,BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上,所述的衬底包括Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si、TiN、SiO2等,所述的BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca,晶格常数为a=5.626Å,b=5.081Å,c=10.339Å,所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为(112);其特征在于:所述BiGaO3薄膜材料厚度小于500纳米;采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到,所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应;化学吸附反应在真空反应腔中进行,真空反应腔中包括有多个分隔空间,分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体;所有的气体管路中的气流在整个薄膜沉积过程中是持续不断通入的,且各管路的气流的流速、压力均保持恒定不变;在真空反应腔中的各分隔空间的数量为4的倍数且不小于8;各分隔空间依次相邻并首尾衔接形成闭合环,托盘和衬底在这些分隔空间形成的气体氛围中运动;用于通入铋前驱体气体和镓前驱体气体的分隔空间的数量之和等于用于通入氧前驱体的分隔空间的数量,用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体和氧前驱体的分隔空间的数量之和等于用于通入惰性气体的分隔空间的数量;所述分隔空间的排布规律如下:在任意一个通入三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铋(III)气体或氧前驱体气体或三甲基镓气体的分隔空间的最邻近的一侧或两侧,都还具有一个或多个通入惰性气体的分隔空间,且在满足上述条件的情况下,在任意一个通入三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铋(III)气体或三甲基镓气体的分隔空间的次邻近侧,都还具有一个或多个通入氧前驱体气体的分隔空间;所采用的铋前驱体为三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铋(III),镓前驱体为三甲基镓,氧前驱体气体可以是H2O、O2、O3其中任意一种,也可以是其中任意两种或三种的混合气体;所述“惰性气体”不仅仅指通常化学领域所指的惰性气体(氦气、氩气等),还包括在整个薄膜制备过程中不会与前驱体发生化学反应的其他气体,例如:氮气;在整个薄膜生长过程中,所有前驱体气体均分别采用惰性气体进行输运;该方法包括但不限于以下具体步骤:A)将清洗洁净的衬底材料用惰性气体吹干,放置入衬底托盘中;B)托盘连同衬底移入真空反应腔,开启真空泵对真空反应腔进行抽真空;C)对真空腔进行加热,使真空腔中的托盘和衬底的温度在整个薄膜生长过程中维持在一个合适的温度窗口;所选择的合适的温度窗口是指:在合适的温度范围内,即衬底的温度高于一个温度下限而低于一个温度上限,且前驱体气体供应的流速大于最低限值的情况下,薄膜的生长速率为一个基本恒定的值,薄膜的生长速率与前驱体气体供应的流速、载气即惰性气体的流速、前驱体的温度、衬底的温度、真空腔的分隔空间的真空度基本无关,当生长温度超出此温度窗口即低于温度下限或高于温度上限,薄膜的生长速率则会显著地增加或减小;D)当真空腔温度恒定一段时间后,设定托盘连同衬底转动的圈数,真空反应腔的不同分隔空间分别通入惰性气体、三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铋(III)气体、氧前驱体气体以及三甲基镓气体;E)衬底托盘带动衬底材料一起运动,在通入三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铋(III)的分隔空间、通入惰性气体的分隔空间、通入三甲基镓气体或其他镓前驱体气体的分隔空间、通入氧前驱体气体的分隔空间等四种分隔空间之间通过;F)当托盘和衬底转动达到设定的圈数时,停止转动,薄膜厚度达到所需值,停止通入铋前驱体、镓前驱体、氧前驱体,继续通入惰性气体,停止托盘和衬底,停止真空腔的加热进行自然冷却;G)真空腔达到或接近室温时,关闭真空泵,对真空反应腔进行充气使其气压达到一个大气压,取出已沉积得到BiGaO3薄膜材料的衬底;H)将步骤G中得到的附着有BiGaO3薄膜材料的衬底,放入快速退火炉中,进行快速热退火处理,自然冷却后取出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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