[发明专利]石墨烯太赫兹发射器及其制作方法有效
| 申请号： | 201510767570.8 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428964B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李林森;郝智彪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯太赫兹发射器及其制作方法，包括：基底以及依次设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极；所述石墨烯纳米带位于所述基底上；所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上；所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带及所述第一电极上；所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的绝缘层之上；所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。本发明有效地提高了太赫兹的发射效率，同时缩小设备体积，可在常温条件下生成太赫兹波。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 赫兹 发射器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，包括：基底以及设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极；所述石墨烯纳米带位于所述基底上；所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上；所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带目标区域上，所述目标区域为未设置第一电极的区域；所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的部分绝缘层之上；所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。
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