[发明专利]一种降低多晶高阻的氢化作用的结构、方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201510767834.X | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106684046B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓日;冒义祥 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低多晶高阻的氢化作用的结构、方法及半导体器件，所述结构包括：多晶高阻芯片；密封环，位于所述芯片的周围，以完全包围所述芯片；孔槽结构，位于所述密封环中且环绕所述芯片设置，所述孔槽结构包括孔槽和填充于所述孔槽中的能吸附氢的材料，以降低氢化作用。本发明不仅从源头上阻止了氢的扩散和移动，增大了圆片在生产线流通的窗口，极大的降低了氢化作用的影响，提升了多晶高阻的稳定性，而且本发明不需要占用和增加管芯面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 多晶 氢化 作用 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种降低多晶高阻的氢化作用的结构，包括：多晶高阻芯片；密封环，位于所述芯片的周围，以完全包围所述芯片；孔槽结构，位于所述密封环中、连续的且封闭的环绕所述芯片设置，所述孔槽结构包括孔槽和填充于所述孔槽中的能吸附氢的材料，以降低氢化作用。
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