[发明专利]具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201510768045.8 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105590953B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 金容玟;金正五;白正善;南敬眞;尹净基 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法,所述有机发光二极管显示器包括定义出发光区和非发光区的基板;设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管;设置在薄膜晶体管上的钝化层;在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极,钝化层插入其间;设置在第二存储电容器电极上的覆盖层;和设置在覆盖层上的阳极,该阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触,且经由设置在覆盖层中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。 | ||
搜索关键词: | 覆盖层 存储电容器电极 钝化层 有机发光二极管显示器 薄膜晶体管 阳极 非发光区 接触孔 基板 穿过 发光区 孔径比 光区 叠加 制造 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示器,包括:定义出发光区和非发光区的基板;设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管;设置在薄膜晶体管上的钝化层;在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极,钝化层插入它们之间;设置在第二存储电容器电极上的覆盖层;和设置在覆盖层上的阳极,所述阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触,并且经由设置在覆盖层接触孔中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触,其中覆盖层接触孔暴露钝化层接触孔、第二存储电容器电极的一侧、和部分薄膜晶体管,其中第二存储电容器电极的一侧和部分薄膜晶体管分别与阳极直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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