[发明专利]金属氧化物层状结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201510768173.2 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105895616A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;黄震麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明描述了一些示例性结构和方法。结构包括至少由包封剂横向包封的集成电路管芯以及位于集成电路管芯和包封剂上的再分布结构。再分布结构电连接至集成电路管芯。再分布结构包括位于至少包封剂上的第一介电层、位于第一介电层上的金属化图案、位于金属化图案上的金属氧化物层状结构、以及位于第一介电层和金属化图案上的第二介电层。金属氧化物层状结构包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，并且金属氧化物层状结构的厚度为至少 |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 层状 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：集成电路管芯，至少由包封剂横向包封；再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述包封剂上，所述再分布结构电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括：第一介电层，至少位于所述包封剂上，金属化图案，位于所述第一介电层上，金属氧化物层状结构，位于所述金属化图案上，所述金属氧化物层状结构包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，所述金属氧化物层状结构的厚度为至少![]()
以及第二介电层，位于所述第一介电层和所述金属化图案上，所述第二介电层是光敏材料，所述金属氧化物层状结构设置在所述金属化图案和所述第二介电层之间。
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