[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510769430.4 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN105390552A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 苏青峰;刘长柱;张根发 | 申请(专利权)人: | 上海联孚新能源科技集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L27/142 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201201 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法。所述CdTe薄膜太阳能电池的组成为:金刚石薄膜窗口层;在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极;在所述金刚石薄膜窗口层下表面的CdTe薄膜吸收层;与所述CdTe薄膜吸收层连接的背电极。所述金刚石薄膜窗口层的厚度为3~5μm,所述栅电极为Cr/Au复合电极,所述背电极为Ag电极或者In电极。本发明的CdTe薄膜太阳能电池,具有成本低、耐高温、抗腐蚀的优点。该CdTe薄膜太阳能电池的制备方法,有效降低了工艺的复杂度和制造成本,具有成膜质量好、工艺简单、价格低廉的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 cdte 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CdTe薄膜太阳能电池,其特征在于,所述CdTe薄膜太阳能电池的组成为:金刚石薄膜窗口层;在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极;在所述金刚石薄膜窗口层下表面的CdTe薄膜吸收层;与所述CdTe薄膜吸收层连接的背电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联孚新能源科技集团有限公司,未经上海联孚新能源科技集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510769430.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能组件背面封装构件和太阳能组件
- 下一篇:有机电致发光装置以及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的