[发明专利]垂直通道结构

摘要

本发明公开了一种垂直通道结构，包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层与第二介电层。第一介电层设置于通道结构上。第二介电层设置于第一介电层上，且封住开口，而在介电结构中形成孔隙。第二介电层的顶部高于第一介电层的顶部。介电结构暴露出通道结构的上部。

主权项

1.一种垂直通道结构，包括：一基底；多个叠层结构，设置于该基底上，其中在这些叠层结构之间具有一开口；一电荷储存结构，设置于该开口的侧壁上；一通道结构，设置于该电荷储存结构上与该开口底部的该基底上；以及一介电结构，包括：一第一介电层，设置于该通道结构上；以及一第二介电层，设置于该第一介电层上，且封住该开口，而在该介电结构中形成一孔隙，其中该第二介电层的顶部高于该第一介电层的顶部，且该介电结构暴露出该通道结构的上部。