[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510770209.0 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN106057838B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄任锋;简荣亮;张素华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一侧和第二侧，第二侧与第一侧相对设置的并且配置为接收电磁辐射；阻挡层，设置在衬底的第二侧上方；滤色镜，设置在阻挡层上方；以及栅格，围绕滤色镜并且设置在阻挡层上方，其中，阻挡层配置为吸收或反射电磁辐射中的非可见光，并且阻挡层设置在栅格和衬底之间。本发明涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对设置并且配置为接收电磁辐射；阻挡层，设置在所述衬底的所述第二侧上方；滤色镜，包括设置在所述阻挡层上方的第一滤色镜，和设置在所述阻挡层上方并且延伸至所述阻挡层中的第二滤色镜；以及栅格，围绕所述滤色镜并且设置在所述阻挡层上方，其中，所述阻挡层配置为吸收或反射所述电磁辐射中的非可见光，并且所述阻挡层设置在所述栅格和所述衬底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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