[发明专利]高电子迁移率晶体管及其外延结构、及外延结构制造方法在审
| 申请号： | 201510770431.0 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105428395A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其外延结构、以及该外延结构制造方法。该外延结构包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长成核层AlN；缓冲层AlGaN；模板层GaN；电子气限制层AlGaN；沟道层GaN；势垒层AlGaN。本发明通过在制造氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构时，利用AlGaN电子限制层限制二维电子气跳出量子阱的方法，能够提高材料的电子迁移率，降低GaN模板层中的缺陷对电子气的影响，进而降低了器件的电流坍塌，提高了器件的动态效应，且工艺简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低电流坍塌的高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、模板层、电子气限制层、沟道层和势垒层，其中：所述成核层为AlN；所述缓冲层为AlGaN；所述模板层为GaN；所述电子气限制层为AlGaN，且在所述电子气限制层中包括预设组分的Al；沟道层为GaN；所述势垒层为AlGaN。
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