[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的源极/漏极区及其形成方法有效
| 申请号： | 201510770595.3 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105977284B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的方法包括：形成从半导体衬底向上延伸的鳍和在鳍的部分的侧壁上形成牺牲层。该方法还包括在牺牲层上方形成间隔件层和经过牺牲层的底面使鳍的部分凹进。凹进形成设置在间隔件层的侧壁部分之间的沟槽。去除牺牲层的至少部分以及在沟槽中形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于鳍式场效应晶体管的源极/漏极区及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 漏极区 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍，从半导体衬底向上延伸；栅极堆叠件，设置在所述鳍的顶面和侧壁上；第一源极/漏极区，位于所述半导体衬底上方并且邻近所述栅极堆叠件；浅沟槽隔离(STI)区，位于所述栅极堆叠件下方并且邻近所述鳍；以及第一源极/漏极间隔件，位于所述第一源极/漏极区的侧壁上，其中，所述第一源极/漏极区的部分在所述第一源极/漏极间隔件的底面下方延伸，所述第一源极/漏极间隔件与所述浅沟槽隔离区由所述第一源极/漏极区间隔开而不直接接触。
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