[发明专利]压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201510771467.0 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN106706173B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬;毛剑宏;杨天伦 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L1/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板表面形成压力感应层，压力感应层与半导体基板间形成空腔，空腔上的压力感应层中有第一开口；形成非晶碳层，非晶碳层覆盖压力感应层，填充部分第一开口；形成第一介质层，第一介质层覆盖非晶碳层，完全覆盖第一开口；刻蚀第一介质层，保留空腔边缘上的第一介质层；以第一介质层为掩膜刻蚀非晶碳层；形成保护层，保护层覆盖压力感应层和第一介质层；刻蚀保护层，去除第一介质层上的保护层，在保护层中形成第二开口，第二开口为压力传感器的压力传感区；去除第二开口中的非晶碳层和第一介质层。本发明中，避免压力感应层受到刻蚀的损伤，防止杂质进入空腔，提高压力传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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