[发明专利]一种背照式传感器及其制作工艺

摘要

本发明涉及半导体制备工艺技术领域，尤其涉及一种背照式传感器制作工艺，通过提供一内部制备有若干光电二极管的硅衬底；依次于所述硅衬底之上制备高K介电材料层、缓冲层和介质层；刻蚀所述介质层至所述缓冲层的上表面，于所述介质层上形成若干开口；于所述开口中填充氧化材料层，形成介质层中镶嵌有氧化材料层的背照式传感器，本技术方案公开的背照式传感器的制备工艺，制程简单，能够用于不同的背照式工艺的要求，提高了量子效率，从而提高了芯片的性能。

主权项

1.一种背照式传感器制作工艺，其特征在于，所述制作工艺包括：提供一内部制备有若干光电二极管的硅衬底；依次于所述硅衬底之上制备高K介电材料层、缓冲层和介质层；刻蚀所述介质层至所述缓冲层的上表面，以于所述介质层中形成若干开口；于所述开口中填充氧化材料层，以制备所述背照式传感器；所述缓冲层包括单层缓冲结构和复合缓冲结构，所述单层缓冲结构设置在除去纯白像素和三基色像素之外的其他像素上；所述复合缓冲结构设置在所述纯白像素上或者所述三基色像素上。