[发明专利]用于III族氮化物半导体器件的图案化的背势垒有效
| 申请号： | 201510771933.5 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105609550B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及用于III族氮化物半导体器件的图案化的背势垒。化合物半导体器件包括III族氮化物缓冲和在III族氮化物缓冲上的III族氮化物势垒。III族氮化物势垒具有与III族氮化物缓冲不同的带隙从而沿着在III族氮化物缓冲与III族氮化物势垒之间的界面形成二维电荷载流子气沟道。该化合物半导体器件进一步包括源极和漏极，该源极和漏极彼此间隔开并且电连接至二维电荷载流子气沟道；栅极，该栅极用于控制在源极与漏极之间的二维电荷载流子气沟道；以及图案化的III族氮化物背势垒，该图案化的III族氮化物背势垒埋置在III族氮化物缓冲中。图案化的III族氮化物背势垒朝着漏极横向地延伸超出栅极并且在漏极之前终止。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 iii 氮化物 半导体器件 图案 背势垒 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体器件，包括：III族氮化物缓冲；在所述III族氮化物缓冲上的III族氮化物势垒，所述III族氮化物势垒具有与所述III族氮化物缓冲不同的带隙，从而沿着在所述III族氮化物缓冲与所述III族氮化物势垒之间的界面形成二维电荷载流子气沟道；源极和漏极，所述源极和漏极彼此间隔开，并且电连接至所述二维电荷载流子气沟道；栅极，所述栅极用于控制在所述源极与所述漏极之间的所述二维电荷载流子气沟道；埋置在所述III族氮化物缓冲中的图案化的III族氮化物背势垒，所述图案化的III族氮化物背势垒朝着所述漏极横向地延伸超出所述栅极并且在所述漏极之前终止，从而使得所述图案化的III族氮化物背势垒通过所述III族氮化物缓冲的区域与所述漏极横向地间隔开；以及场板，所述场板设置在所述栅极上方并且与所述栅极电绝缘，所述场板电连接至所述源极或者所述栅极并且朝着所述漏极横向地延伸超出所述栅极，其中所述图案化的III族氮化物背势垒朝着所述漏极横向地延伸超出所述场板。
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