[发明专利]具有印痕的集成电路及其制造方法、形成设备和验证系统在审
| 申请号： | 201510773835.5 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105608248A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡明庆;関伟伦;C.马尔贝拉;覃永良 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有印痕的集成电路及其制造方法、形成设备和验证系统。根据各种实施例，制造集成电路的方法可以包含提供具有至少一个凹陷或至少一个凸起的膜结构，以及执行使用膜结构的膜辅助模制工艺以模制电子电路，由此形成包含依照膜结构的表面图案的模制结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 印痕 集成电路 及其 制造 方法 形成 设备 验证 系统 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，所述方法包括：提供具有至少一个凹陷或至少一个凸起中的至少一个的膜结构；以及执行使用膜结构的膜辅助模制工艺以模制电子电路，由此形成包含依照膜结构的表面图案的模制结构。
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