[发明专利]一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法有效
申请号: | 201510774057.1 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN105355728B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 卓祥景;陈凯轩;林志伟;姜伟;方天足;张永;刘碧霞 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/12 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法,涉及LED生产技术领域,本发明通过在硅衬底上蒸镀AlN,然后刻蚀出图形,再在图形上生长氮化物材料,最终做成倒装的LED器件且剥离掉硅衬底,使背发射LED芯片达到了提高出光效率的效果。 | ||
搜索关键词: | 倒装 周期性图案 发光表面 高光效 硅衬底 生长氮化物 出光效率 刻蚀 蒸镀 制作 剥离 发射 | ||
【主权项】:
1.一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法,包括在Si衬底上制作外延层,并制作电极,然后将具有电极的器件倒装在永久基板上,并去除Si衬底;其特征在于先在Si衬底上蒸镀厚度为10~200nm的AlN薄膜,并在AlN薄膜上刻蚀出周期性图形,周期性图形的凹槽部分为Si 衬底,凸起部分为AlN薄膜,所述凹槽部分的刻蚀深度为500nm~5000nm;然后再依次制作由合并层、第一N 型GaN 层、AlyGa1‑yN缺陷阻隔层、第二N 型AlmInnGa1‑m‑nN层、多量子阱发光有源层和P 型空穴供给层构成的外延层,在制作外延层的合并层时,以三甲基铝为铝源,以三甲基镓为镓源,采用50mbar~500mbar的低压和500~10000的高Ⅴ/Ⅲ生长形成表面平整的外延层;所述外延层中的合并层中具有孔洞,各孔洞一一对应于所述具有周期性图形的凹槽部分;在去除Si衬底时,采用由等体积的HF、HNO3和CH3COOH混合组成的溶液,露出AlN薄膜和AlGaN层交替的周期图形表面。
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