[发明专利]一种快速提取无源漏三栅结构场效应管阈值电压的方法在审

专利信息
申请号: 201510775618.X 申请日: 2015-11-15
公开(公告)号: CN105447231A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 胡光喜;冯建华;刘冉;郑立荣 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于半导体技术领域,具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布,然后根据本发明阈值电压的定义,沟道内平均电势等于准费米势减去2倍热电势时,所加栅压为阈值电压。据此可以得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰,为电路模拟软件在获取新型无源漏三栅场效应器件阈值电压时,提供了一种快速精确的提取工具。
搜索关键词: 一种 快速 提取 无源 漏三栅 结构 场效应 阈值 电压 方法
【主权项】:
一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压快速提取方法,其特征在于,首先通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得该结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布,然后根据阈值电压的定义,沟道内平均电势等于准费米势减去2倍热电势时,所加栅压为阈值电压,得到阈值电压解析模型,从而快速提取阈值电压;该阈值电压Vth的解析模型为:其中,Vfb为平带电压,VR为参考电位,Vds为源漏电压,其它参数如下:上式中,分别为三栅场效应管的沟道长度、宽度和高度,Tox为栅极氧化层厚度;为硅和栅极氧化物的介电常数;q为电子电量;xmin是沿沟道中心方向电势最低点;ND为沟道区掺杂浓度,Vt是热电势,室温下等于0.026 V。
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