[发明专利]半导体加工设备及等离子体产生方法

摘要

本发明提供一种半导体加工设备及等离子体产生方法，其包括反应腔室、内线圈机构、外线圈、第一射频电源、第一匹配器、第二射频电源和第二匹配器，其中，在反应腔室的顶部设置有平板状的介质窗；内线圈机构设置在该介质窗上方的中心区域；外线圈为平面线圈，其设置在介质窗上方，且环绕在内线圈机构的周围；第一射频电源用于通过第一匹配器向内线圈机构加载连续波射频功率；第二射频电源用于通过第二匹配器向外线圈加载脉冲波或者连续波射频功率。本发明提供的半导体加工设备，其不仅可以扩大工艺窗口，而且可以使等离子体在启辉时更稳定，从而可以提高工艺重复性。

主权项

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室的顶部设置有平板状的介质窗，其特征在于，还包括：内线圈机构，设置在所述介质窗上方的中心区域；外线圈，为平面线圈，其设置在所述介质窗上方，且环绕在所述内线圈机构的周围；第一射频电源和第一匹配器，所述第一射频电源用于通过所述第一匹配器向所述内线圈机构加载连续波射频功率，以使内圈等离子体保持启辉状态；第二射频电源和第二匹配器，所述第二射频电源用于通过所述第二匹配器在所述第一射频电源开启之后向所述外线圈加载脉冲波或者连续波射频功率，以使外圈等离子体启辉；其中，所述内线圈机构包括：介质桶，设置在所述介质窗的中心位置处，且与所述反应腔室相连通；并且，在所述介质桶的顶部设置有中心喷嘴，用以向所述介质桶内输送反应气体；内线圈，为立体线圈，且环绕在所述介质桶的外侧，并且与所述第一匹配器电连接。