[发明专利]一种氧化物薄膜型热电偶及其制备方法有效
| 申请号： | 201510776351.6 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105300544B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 任巍;史鹏;刘艳涛;田边;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物薄膜型热电偶及其制备方法，采用磁控溅射工艺，在高温陶瓷基片上沉积制备可用于高温温度测量的氧化物薄膜热电偶，并采用涂敷氧化物保护层，改善氧化物薄膜热偶的热挥发性，提高热偶的使用性能。该薄膜热电偶采用直接贴装在陶瓷基片表面，可用于真空和氧化气氛中，能够在1000℃‑1250℃高温下长期稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 热电偶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜型热电偶，其特征在于：包括基层的陶瓷基片(1)、设置在陶瓷基片(1)上的中间层氧化物薄膜热电极和包覆在氧化物薄膜热电极上的顶层氧化铝保护膜层(3)；所述氧化物薄膜热电极是由沿陶瓷基片(1)中心线呈镜像对称设置的氧化物薄膜热电极一(4)及热电极二(5)组成；热电极一(4)和热电极二(5)一端部分重叠搭接构成热接点(2)；热电极一(4)和热电极二(5)另一端为引线端(6)，引线端(6)设置在氧化铝保护膜层(3)外；热电极一(4)和热电极二(5)的材料分别为掺锡氧化铟或氧化铟；掺锡氧化铟材料中锡含量为5‑10％，所述的氧化铟材料为纯度99％以上；氧化铝保护膜层(3)的厚度为1.5～2.5μm；陶瓷基片(1)是氧化铝、莫来石或SiC的结构陶瓷。
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