[发明专利]用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台有效
| 申请号： | 201510776938.7 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN106466805B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴健立;杨棋铭;黄正吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/10;B24B37/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台。工作台被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件。抛光垫与工作台隔开的宽度小于约工作台的宽度的一半。抛光垫被配置为分别抛光将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域。抛光液分配系统被配置为向抛光垫和工件之间的界面施加抛光液。清洁系统被配置为在工作台上原位清洁工件。干燥系统被配置为在工作台上原位干燥工件。还提供了用于具有局部轮廓控制的CMP的方法和具有局部轮廓控制的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 局部 轮廓 控制 化学 机械抛光 cmp 平台 | ||
【主权项】：
1.一种局部化学机械抛光(CMP)平台，包括：/n工作台，被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件；/n平坦性检测系统，被配置为测量将被抛光的表面的平坦性以识别用于抛光的多个彼此间隔开的粗糙区域的位置；/n抛光垫，配置为通过主轴耦合至电机并绕所述主轴的轴向旋转，所述抛光垫与所述工作台隔开的宽度小于所述工作台的宽度的一半，其中所述抛光垫被配置为基于所述粗糙区域的位置分别抛光所述将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域，其中，所述抛光垫进一步被配置为单独地抛光所述粗糙区域而不抛光整个将被抛光的表面；抛光液分配系统，被配置为向所述抛光垫和所述工件之间的界面施加抛光液；/n流体填充囊，与所述抛光垫相邻并且被配置为利用可变力将所述抛光垫按压向所述工件；/n清洁系统，被配置为在所述工作台上原位清洁所述工件；以及/n干燥系统，被配置为在所述工作台上原位干燥所述工件，/n所述主轴设置为：从所述流体填充囊在多个粗糙区域中一个粗糙区域将所述抛光垫按压到所述工件上开始，至所述抛光垫移动至所述多个粗糙区域中另一个粗糙区域的整个过程中，所述主轴始终在平行于所述工作台的上表面的二维平面上移动。/n
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