[发明专利]一种微波腔体器件内壁金属化方法在审

专利信息
申请号: 201510777263.8 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN105256277A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 冯斌;金浩;王德苗 申请(专利权)人: 苏州求是真空电子有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/04;C23C14/14
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种微波腔体器件内壁金属化方法,步骤主要包括:镀膜前处理、掩膜装架、抽真空、充工作气体、溅射镀膜;本发明与现有技术相比,具有成膜速度快、金属化膜层与器件基材结合力高、生产成本低、溅射镀膜工艺无污染等优点。利用该工艺制得的微波腔体器件具有成本低、生产制程无污染、产品可靠性和稳定性好等优点。
搜索关键词: 一种 微波 器件 内壁 金属化 方法
【主权项】:
一种微波腔体器件内壁金属化方法,其特征在于,包括如下步骤:1)镀膜前处理:将待金属化的微波腔体器件放入清洗溶液中进行除油、除锈,处理完成后放入自来水中超声清洗15分钟,然后用60‑100摄氏度热水冲洗,最后将其放入80‑200摄氏度的环境中烘干;2)掩膜装架:将经过前述处理的微波腔体器件通过掩膜工装装到片架上;3)抽真空:将经过掩膜装架后的片架置于磁控溅射镀膜设备中并抽真空,直至真空度达到10‑3Pa量级;4)充工作气体:将惰性气体作为工作气体动态充入真空腔体,维持真空腔内压强为0.2‑1Pa;5)溅射镀膜:在磁控溅射镀膜设备中向微波腔体器件内壁镀覆单层或双层金属薄膜,磁控溅射靶的功率密度为2‑50W/cm2,靶与微波腔体器件表面的最小距离为5cm,最大距离为15cm,溅射镀膜完成后,向溅射腔体内充入大气,并将微波腔体器件取出。
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