[发明专利]用于器件的金属栅极方案及其形成方法

摘要

本发明公开了栅极结构和形成栅极结构的方法。在一些实施例中，方法包括在衬底中形成源极/漏极区，以及在源极/漏极区之间形成栅极结构。该栅极结构包括位于衬底上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的功函调节层、位于功函调节层上方的第一金属、位于第一金属上方的粘合层以及位于粘合层上方的第二金属。在一些实施例中，粘合层可以包括第一金属和第二金属的合金，并且可以通过使第一金属和第二金属退火来形成。在其他实施例中，粘合层可以包括第一金属和/或第二金属中的至少一种的氧化物，并且可以至少部分地通过将第一金属暴露于含氧等离子体或自然环境来形成。本发明的实施例还涉及用于器件的金属栅极方案及其形成方法。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底中形成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；以及在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间以及所述衬底上方形成栅极结构，所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述衬底上方，功函调节层，位于所述栅极介电层上方，第一金属，位于所述功函调节层上方，粘合层，位于所述第一金属上方，和第二金属，位于所述粘合层上方，所述第二金属与所述第一金属不同，其中，所述粘合层包括所述第一金属和所述第二金属的合金，或包括所述第一金属的氧化物，或是所述第一金属和所述第二金属的混合物的氧化物。