[发明专利]垂直式半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510777502.X | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN106252409B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 林义雄;邱奕勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直式半导体结构，及其制造方法。本发明提供的垂直式栅极围绕(vertical gate all‑around,VGAA)半导体结构包括在基板中的第一掺杂区域、从第一掺杂区域延伸的第一垂直通道、在第一掺杂区域的顶表面中的第一金属半导体化合物区域，且第一金属半导体化合物区域沿着第一垂直通道的至少两个侧边延伸，以及围绕第一垂直通道的第一栅电极。根据本发明，金属半导体区域相较于覆于其上的掺杂区域具有降低的电阻，因此传递的电流可主要流经较低电阻的金属半导体化合物区域，进而改善元件电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直式半导体结构，包含：/nn型源极区，在p型掺杂的阱中；/n第一垂直通道，该第一垂直通道从所述n型源极区延伸，其中所述第一垂直通道具有第一纵轴，所述第一垂直通道的侧壁包括平行于第一纵轴延伸的两个侧边以及垂直于第一纵轴延伸的两个末端；/np型源极区，在n型掺杂的阱中；/n第二垂直通道，该第二垂直通道从所述p型源极区延伸；以及/n第一金属半导体化合物区域，该第一金属半导体化合物区域在所述n型掺杂的阱与所述p型掺杂的阱的顶表面，所述第一金属半导体化合物区域为连续的且沿着所述p型源极区的侧边延伸，沿着所述n型源极区的侧边延伸，以及在所述p型源极区与所述n型源极区之间延伸；/n第一栅电极，该第一栅电极围绕所述第一垂直通道；以及/n第一触点，该第一触点通过所述第一金属半导体化合物区域电性地耦接到所述n型源极区。/n
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