[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件，包括第一和第二FinFET以及由绝缘材料制成并且设置在第一和第二FinFET之间的分隔塞。第一FinFET包括在第一方向上延伸的第一鳍结构，在第一鳍结构上方形成的第一栅极电介质和在第一栅极电介质上方形成并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一栅电极。第二FinFET包括第二鳍结构，在第二鳍结构上方形成的第二栅极电介质和在第一栅极电介质上方形成并且在第二方向上延伸的第二栅电极。当从上面看时，分隔塞的端部形状呈凹形的弧形形状，而邻接分隔塞的第一栅电极的端部呈凸形的弧形形状。本发明实施例涉及半导体集成电路，更具体地，涉及具有鳍结构的半导体器件及其制造工艺。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一鳍式场效应晶体管，所述第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍结构、第一栅极电介质以及第一栅电极，所述第一鳍结构在第一方向上延伸，所述第一栅极电介质形成在所述第一鳍结构上方，所述第一栅电极形成在所述第一栅极电介质上方并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；第二鳍式场效应晶体管，所述第二鳍式场效应晶体管包括第二鳍结构、第二栅极电介质和第二栅电极，所述第二栅极电介质形成在所述第二鳍结构上方，以及所述第二栅电极形成在所述第一栅极电介质上方并且在所述第二方向上延伸；以及分隔塞，由绝缘材料制成并且设置在所述第一鳍式场效应晶体管和所述第二鳍式场效应晶体管之间，其中，当从上面看时，所述分隔塞的端部形状具有凹形的弧形形状，而所述第一栅电极的邻接所述分隔塞的端部具有凸形的弧形形状。