[发明专利]基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510778969.6 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105428518B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 熊斌;冯端;徐德辉;马颖蕾;陆仲明;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/22;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局域 共振 晶体结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，该制作方法至少包括如下步骤：提供一正面设有横截面为倒梯形的凹槽的基底；沉积绝缘材料，形成覆盖所述基底以及凹槽内壁的绝缘层；在上述结构上键合固体基板，使得所述固体基板与所述凹槽之间形成空腔；形成压电薄膜层，覆盖所述固体基板，图形化所述压电薄膜层形成位于固体基板两端的压电元件；形成金属层，覆盖所述固体基板和所述压电元件，图形化所述金属层形成位于所述压电元件上用于实现声学波激励及检测装置的叉指电极结构；沉积结构层，覆盖所述固体基板和所述叉指电极结构；刻蚀所述结构层，定义出局域共振结构，形成位于空腔上方的固体基板上的局域共振型声子晶体结构。
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